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俄罗斯工业和贸易部和ISTC MIET制定了到2030年电子产品生产设备进口替代的大规模计划。
新的计划将国产65纳米技术定于2030年实现。
据CNews报道，俄罗斯已拨款超过2400亿卢布支持到2030年前替换外国芯片制造设备的大规模计划 。
该计划涉及启动110个研发项目，以减少对进口晶圆厂设备的依赖，并最终采用 28 纳米级工艺技术制造芯片。将25.4亿美元的数字放在一起比较，这比该国在2025年与乌克兰的战争中在国防上的支出少了57倍。
芯片制造本地化的广泛计划
俄罗斯芯片制造商——Angstrem、Mikron等——可以生产各种成熟节点的芯片，包括 65nm 和 90nm。在俄罗斯用于芯片的400种工具中，目前只有12%可以在本地制造。制裁进一步复杂化了这种情况，关键设备的成本上涨了40%-50%，因为必须走私到该国。为了降低成本并减少对外国工具的依赖，俄罗斯工业和贸易部 和贸易部以及 MIET(一家政府控制的公司)制定了一项计划，重点是开发微电子生产所需约 70% 设备和原材料的国内替代品。
该计划涵盖芯片制造的各个方面，包括实际工具、原材料和电子设计自动化 工具。该项目将开发“20 种不同的技术路线”，例如从180nm到28nm的微电子、微波电子、光子学和电力电子。一些开发的技术还将用于光掩模生产和电子模块组装。
目标非常模糊
虽然该计划的战略目标看起来很明确，但细节看起来相当模糊，至少可以这么说。
预计到 2026 年底，俄罗斯将实现的重要里程碑之一是开发用于350nm和130nm工艺技术的光刻设备和用于150nm生产节点的电子束光刻设备。此外，俄罗斯计划在几年内开发化学气相沉积外延设备。此外，到2026年底，俄罗斯工业和贸易部希望国内半导体行业能够生产硅锭并将其切割成晶圆。
到2030年，俄罗斯的目标是生产出能够处理65nm或90nm工艺技术的晶圆的国产光刻系统。这将大大提高该国生产微电子产品的能力，但仍将落后该行业 25-28 年。
这项新计划显然不如一年前发布的计划那么雄心勃勃，该计划将28nm定于2027年，将14nm制造工艺定于2030年 。然而，从未来几年计划开发的工具数量来看(没有关于量产的消息)，这个计划已经足够雄心勃勃了。
该计划设想开发各种类型的设备，包括15种控制和测量设备、13种等离子化学装置、10种光刻系统、9种芯片封装工具、8种光掩模制造工具、7种晶圆生产工具等。
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